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“SOT227封装IXYS现货IGBT模块IXDN75N120参数及应用”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | ROSH |
| 类型： | 增强型MOS管(N沟道) | 材料： | N-FET硅N沟道 |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | 用途： | L/功率放大 |
| 导电方式： | 增强型 | 型号： | IXDN75N120 |
| 规格： | 1 | 商标： | HIGHSEMI |
| 包装： | 管装 |
“SOT227封装IXYS现货IGBT模块IXDN75N120参数及应用”详细介绍
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压引传动等领域 IGBT模块是先进的第三代功率模块，工作频率1-20KHZ，主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即DCAC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、MOSFET，双极型达林顿管等,目今功率可高达1MW的低频应用中，单个元件电压可达4.0KV（PT结构）— 6.5KV（NPT结构），电流可达1.5KA，是较为理想的功率模块。 追其原因是第三代IGBT模块，它是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20KHZ），这两点非常显著的特性。
IXYS现货IGBT模块IXDN75N120参数
产品种类: IGBT 晶体管制造商: IXYSoHS: 符合RoHS 详细信息封装 箱体: SOT-227B-4安装风格: SMDSMT配置: Single Dual Emitter集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V集电极—射极饱和电压: 2.2 V栅极发射极电压: +- 20 V工作温度: - 40 C工作温度: + 150 C系列: IXDN75N120封装: Tube商标: IXYS集电极连续电流: 150 A集电极连续电流 Ic: 150 A高度: 9.6 mm长度: 38.2 mm工厂包装数量: 10技术: Si宽度: 25.07 mm单位重量: 38 g
IGBT 的驱动与保护技术 1 ． IGBT 的驱动条件驱动条件与 IGBT 的特性密切相关。设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和 dUds dt 引起的误触发等问题。 正偏置电压 Uge 增加，通态电压下降，开通能耗 Eon 也下降，分别如图 2 － 62 a 和 b 所示。由图中还可看出，若十 Uge 固定不变时，导通电压将随漏极电流增大而增高，开通损耗将随结温升高而升高。
1 ） IGBT 与 MOSFET 都是电压驱动，都具有一个 2 ． 5 ～ 5V 的阈值电压，有一个容性输入阻抗，因此 IGBT 对栅极电荷非常敏感故驱动电路必须很可靠，要保证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与 IGBT 的连线要尽量短。
2 ）用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压 Uge, 有足够陡的前后沿，使 IGBT 的开关损耗尽量小。另外， IGBT 开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率，使 IGBT 不退出饱和而损坏。
3 ）驱动电路要能传递几十 kHz 的脉冲信号。
4 ）驱动电平十 Uge 也必须综合考虑。＋ Uge 增大时， IGBT 通态压降和开通损耗均下降，但负载短路时的 Ic 增大， IGBT 能承受短路电流的时间减小，对其安全不利，因此在有短路过程的设备中 Uge 应选得小些，一般选 12 ～ 15V 。
5 ）在关断过程中，为尽快抽取 PNP 管的存储电荷，须施加一负偏压 Uge, 但它受 IGBT 的 G 、 E 间反向耐压限制，一般取 --1v — -- 10V 。
6 ）在大电感负载下， IGBT 的开关时间不能太短，以限制出 didt 形成的尖峰电压，确保 IGBT 的安全。
7 ）由于 IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合，故驱动电路与控制电路在电位上应严格隔离。
8 ） IGBT 的栅极驱动电路应尽可能简单实用，自身带有对 IGBT 的保 护功能，有较强的抗干扰能力。
IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间，tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和，漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。